Каталог
Новинки
Поновлення
Дешевше
АкціїТранзистор IGBT G80N60UFD
N-ch; 600V; 80A; 195W; Usat=2,1V
Транзистор IGBT G80N60UFD
N-ch; 600V; 80A; 195W; Usat=2,1V
код:
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Максимальна робоча температура | 150 °C |
| Максимальна розсіювана потужність (25°C) Pd | 195 Ватт |
| Напруга затвор-емітер Vge | 20 Вольт |
| Напруга колектор-емітер Vces | 600 Вольт |
| Номінальний час відновлення діода (25°C) trr | 50 Наносекунд |
| Номінальний струм діода (100°C) If | 25 Ампер |
| Номінальний струм колектора (100°C) Ic | 40 Ампер |
| Бренд | Fairchild (ONS) |
| Структура | Ultra Fast IGBT+діод |
| Номінальний струм колектора (25°C) Ic | 80 Ампер |
| Номінальна напруга насичення колектор-емітер Vce(on) | 2,1 Вольт |
