Каталог
Новинки
Поновлення
Дешевше
АкціїТранзистор IGBT SGT60N60FD1PN
60 А, 600 в, 321 Вт, з діодом, Field Stop IGBT
Транзистор IGBT SGT60N60FD1PN
60 А, 600 в, 321 Вт, з діодом, Field Stop IGBT
код:
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Максимальна робоча температура | 150 °C |
| Максимальна розсіювана потужність (25°C) Pd | 321 Ватт |
| Напруга затвор-емітер Vge | 20 Вольт |
| Напруга колектор-емітер Vces | 600 Вольт |
| Номінальний час відновлення діода (25°C) trr | 38 Наносекунд |
| Номінальна напруга насичення колектор-емітер Vce(on) | 2,2 Вольт |
| Номінальний струм колектора (100°C) Ic | 60 Ампер |
| Номінальний струм колектора (25°C) Ic | 120 Ампер |
| Бренд | Silan |
| Структура | Field Stop IGBT |
Додаткова інформація
