Каталог
Новинки
Поновлення
Дешевше
АкціїТранзистор IGBT IRG4PF50WD
N-ch; 900V; 51A; 200W; 20-100KHz; Usat=2.25V
Транзистор IGBT IRG4PF50WD
N-ch; 900V; 51A; 200W; 20-100KHz; Usat=2.25V
код:
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Максимальна робоча температура | 150 °C |
| Максимальна розсіювана потужність (25°C) Pd | 200 Ватт |
| Напруга затвор-емітер Vge | 20 Вольт |
| Напруга колектор-емітер Vces | 900 Вольт |
| Номінальний час відновлення діода (25°C) trr | 90 Наносекунд |
| Номінальний струм діода (100°C) If | 16 Ампер |
| Номінальний струм колектора (100°C) Ic | 28 Ампер |
| Бренд | IR |
| Структура | IGBT+діод |
| Номінальний струм колектора (25°C) Ic | 51 Ампер |
| Номінальна напруга насичення колектор-емітер Vce(on) | 2,25 Вольт |
Додаткова інформація
