Каталог
Новинки
Поновлення
Дешевше
АкціїТранзистор IGBT MBQ40T65FDSC
650V; Ic =80A(25C); Ic=40(100C); 325W;
Транзистор IGBT MBQ40T65FDSC
650V; Ic =80A(25C); Ic=40(100C); 325W;
код:
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Максимальна робоча температура | 175 °C |
| Максимальна розсіювана потужність (25°C) Pd | 375 Ватт |
| Напруга затвор-емітер Vge | 20 Вольт |
| Напруга колектор-емітер Vces | 650 Вольт |
| Номінальний час відновлення діода (25°C) trr | 80 Наносекунд |
| Номінальна напруга насичення колектор-емітер Vce(on) | 1,95 Вольт |
| Номінальний струм діода (100°C) If | 20 Ампер |
| Номінальний струм колектора (100°C) Ic | 40 Ампер |
| Номінальний струм колектора (25°C) Ic | 80 Ампер |
| Бренд | MagnaChip |
| Структура | IGBT+діод |
Додаткова інформація
