N-ch; 150V; 41A; 3.1W; 0.045 Ohm
N-ch; 150V; 41A; 3.1W; 0.045 Ohm
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Час закриття транзистора td(off) | 25 Наносекунд |
| Час відкриття транзистора td(on) | 16 Наносекунд |
| Кількість каналів | 1 |
| Корпус | D2-PAK |
| Максимальна робоча температура | 175 °C |
| Мінімальна робоча температура | -55 °C |
| Напруга затвор-витік Vgs | 30 Вольт |
| Напруга пробою сток-витік Vds | 150 Вольт |
| Полярність | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th) | 3-5,5 Вольт |
| Постійний струм стоку (25°C) Id | 41 Ампер |
| Бренд | IR |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd | 3,1 Ватт |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on) | 0,045 Ом |
💳
Ми приймаємо оплату зручними для вас способами: банківською карткою, безготівково на рахунок за реквізитами IBAN, а також готівкою. Ми завжди раді вашому замовленню та дбаємо, щоб оплата була простою і зручною.
У фізичному магазині доступні всі форми оплати, на точці видачі — лише банківська картка.
Для замовлень через сайт доступна безготівкова оплата на рахунок за реквізитами IBAN. Є також післяплата.
Опис
це N-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу. Транзистор призначений для силової або сигнальної комутації та може використовуватися в таких вузлах: DC-DC перетворювачі, інвертори, імпульсні джерела живлення, драйвери та силові комутаційні вузли.
Технічні характеристики
Функціонал
Розпіновка
Корпус D2-Pack. Для стандартного одиночного силового MOSFET, якщо дивитися згідно креслення корпусу: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Витік) Велика металева/теплова площадка зазвичай електрично з'єднана з Drain (D).