Каталог
Новинки
Поновлення
Дешевше
АкціїТранзистор польовий IRF3205S
N-Ch 55V; 110A; 8mOm
на складі 198 шт.
в магазині 25 шт.
код: A118184
IR
D2Pak
IR
D2Pak
Транзистор польовий IRF3205S
N-Ch 55V; 110A; 8mOm
44 грн
код:
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Час закриття транзистора td(off) | 50 Наносекунд |
| Час відкриття транзистора td(on) | 14 Наносекунд |
| Кількість каналів | 1 |
| Корпус | D2-PAK |
| Максимальна робоча температура | 175 °C |
| Мінімальна робоча температура | -55 °C |
| Напруга затвор-витік Vgs | 20 Вольт |
| Напруга пробою сток-витік Vds | 55 Вольт |
| Полярність | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th) | 2-4 Вольт |
| Постійний струм стоку (25°C) Id | 110 Ампер |
| Бренд | IR |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd | 200 Ватт |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on) | 0,008 Ом |
Способи оплати
💳
Ми приймаємо оплату зручними для вас способами: банківською карткою, безготівково на рахунок за реквізитами IBAN, а також готівкою. Ми завжди раді вашому замовленню та дбаємо, щоб оплата була простою і зручною.
У фізичному магазині доступні всі форми оплати, на точці видачі — лише банківська картка.
Для замовлень через сайт доступна безготівкова оплата на рахунок за реквізитами IBAN. Є також післяплата.
Додаткова інформація
Опис
це N-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу. Транзистор призначений для силової або сигнальної комутації та може використовуватися в таких вузлах: низьковольтні DC-DC перетворювачі, BMS, автомобільна електроніка, драйвери двигунів, ключі навантаження та системи керування живленням.
Технічні характеристики
- Тип: N-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу
- Корпус: D2PAK
- Монтаж: SMD (поверхневий монтаж)
- Напруга стік-витік (VDS), за карткою: 55 В
- Постійний струм стоку (ID), за карткою: 110 А
Функціонал
- Робота у DC-DC перетворювачах
- Керування силовим навантаженням у драйверних схемах
- Керування силовими лініями у BMS
- Комутація навантаження
- Керування лініями живлення
- Силова або сигнальна комутація
Розпіновка
Корпус D2PAK. Для стандартного одиночного силового MOSFET, якщо дивитися згідно креслення корпусу: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Витік) Велика металева/теплова площадка зазвичай електрично з'єднана з Drain (D).
