Транзистор польовий IRFR6215

P-ch; 150V; 13A; 110W; 0.295 Ohm

Транзистор польовий IRFR6215
на складі 7 шт.
в магазині 11 шт.
код: A118180
IR
D-PAK

Транзистор польовий IRFR6215

P-ch; 150V; 13A; 110W; 0.295 Ohm


35.5 грн
код:

ПараметрЗначення
Час закриття транзистора td(off)53 Наносекунд
Час відкриття транзистора td(on)14 Наносекунд
Кількість каналів1
КорпусD-PAK
Максимальна робоча температура175 °C
Мінімальна робоча температура-55 °C
Напруга затвор-витік Vgs20 Вольт
Напруга пробою сток-витік Vds150 Вольт
ПолярністьP-Channel
Порогова напруга затвор-витік Vgs(th)2-4 Вольт
Постійний струм стоку (25°C) Id13 Ампер
БрендIR
Розсіювана потужність (25°C) Pd110 Ватт
Опір сток-витік (25°C) Rds(on)0,295 Ом
Способи оплати

💳 Ми приймаємо оплату зручними для вас способами: банківською карткою, безготівково на рахунок за реквізитами IBAN, а також готівкою. Ми завжди раді вашому замовленню та дбаємо, щоб оплата була простою і зручною.

У фізичному магазині доступні всі форми оплати, на точці видачі — лише банківська картка.

Для замовлень через сайт доступна безготівкова оплата на рахунок за реквізитами IBAN. Є також післяплата.


Додаткова інформація

Опис

це P-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу. Транзистор призначений для силової або сигнальної комутації та може використовуватися в таких вузлах: DC-DC перетворювачі, інвертори, імпульсні джерела живлення, драйвери та силові комутаційні вузли.

Технічні характеристики

  • Тип: P-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу
  • Корпус: D-PAK
  • Монтаж: SMD (поверхневий монтаж)
  • Напруга стік-витік (VDS), за карткою: 150 В
  • Постійний струм стоку (ID), за карткою: 13 А
  • Потужність розсіювання (PD), за карткою: 110 Вт
  • Опір відкритого каналу (RDS(on)), за карткою: 0.295 Ом

Функціонал

  • Робота у DC-DC перетворювачах
  • Робота в інверторах
  • Робота в імпульсних джерелах живлення
  • Керування силовим навантаженням у драйверних схемах
  • Силова або сигнальна комутація

Розпіновка

Корпус D-PAK. Для стандартного одиночного силового MOSFET, якщо дивитися згідно креслення корпусу: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Витік) Велика металева/теплова площадка зазвичай електрично з'єднана з Drain (D).