Каталог
Новинки
Поновлення
Дешевше
АкціїТранзистор польовий IRF7509
N P; 1.25W; N: 30V; 2.7A; 0.11 Ohm; P: 30V; 2A; 0.2 Ohm
на складі 10 шт.
в магазині 13 шт.
код: A118165
IR
MICRO-8
IR
MICRO-8
Транзистор польовий IRF7509
N P; 1.25W; N: 30V; 2.7A; 0.11 Ohm; P: 30V; 2A; 0.2 Ohm
21 грн
код:
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Час закриття транзистора td(off) | N12 P19 Наносекунд |
| Час відкриття транзистора td(on) | N4,7 P9,7 Наносекунд |
| Кількість каналів | 2 |
| Корпус | Micro8 |
| Максимальна робоча температура | 150 °C |
| Мінімальна робоча температура | -55 °C |
| Напруга затвор-витік Vgs | N20 P20 Вольт |
| Напруга пробою сток-витік Vds | N30 P30 Вольт |
| Полярність | N та P-канал |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th) | N1 P1 Вольт |
| Постійний струм стоку (25°C) Id | N2,7 P2 Ампер |
| Бренд | IR |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd | 1,25 Ватт |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on) | N0,11 P0,2 Ом |
Способи оплати
💳
Ми приймаємо оплату зручними для вас способами: банківською карткою, безготівково на рахунок за реквізитами IBAN, а також готівкою. Ми завжди раді вашому замовленню та дбаємо, щоб оплата була простою і зручною.
У фізичному магазині доступні всі форми оплати, на точці видачі — лише банківська картка.
Для замовлень через сайт доступна безготівкова оплата на рахунок за реквізитами IBAN. Є також післяплата.
Додаткова інформація
Опис
це комплементарна MOSFET-збірка (1× N-channel + 1× P-channel) у корпусі MICRO-8. Об'єднання двох ключів в одному корпусі зменшує розміри та паразитні індуктивності. Типове застосування: DC-DC перетворювачі, керування живленням, напівмости, захист акумуляторів, ключі навантаження та компактні імпульсні вузли.
Технічні характеристики
- Тип: комплементарна MOSFET-збірка (1× N-channel + 1× P-channel)
- Корпус: MICRO-8
- Монтаж: SMD (поверхневий монтаж)
- Напруга стік-витік (VDS), за карткою: 30 В
- Постійний струм стоку (ID), за карткою: 2.7 А
- Потужність розсіювання (PD), за карткою: 1.25 Вт
- Опір відкритого каналу (RDS(on)), за карткою: 0.11 Ом
- Особливості: два MOSFET в одному корпусі
- VDS: +30 В (N) / -30 В (P)
- ID: +2,7 А (N) / -2,0 А (P)
- VGS(max): ±20 В
- VGS(th): мін. +1 В (N) / -1 В (P)
- TJ(max): +150 °C
Функціонал
- Робота у DC-DC перетворювачах
- Робота в імпульсних джерелах живлення
- Захист акумуляторних ліній
- Комутація навантаження
- Керування лініями живлення
Розпіновка
Корпус Micro-8, комплементарний N+P MOSFET. Розпіновка є manufacturer-specific; перед трасуванням плати потрібно звірити графічний pinout саме IRF7509/IRF7509PbF. Не переносити автоматично схему виводів від SO-8 AO4600/AF4502C.
