Каталог
Новинки
Поновлення
Дешевше
АкціїТранзистор польовий IRF7459
N-ch; 20V; 12A; 2.5W; 9 mOhm
на складі 58 шт.
в магазині 13 шт.
код: A118163
IR
SO-8
IR
SO-8
Транзистор польовий IRF7459
N-ch; 20V; 12A; 2.5W; 9 mOhm
23.5 грн
код:
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Час закриття транзистора td(off) | 20 Наносекунд |
| Час відкриття транзистора td(on) | 10 Наносекунд |
| Кількість каналів | 1 |
| Корпус | SO-8 |
| Максимальна робоча температура | 150 °C |
| Мінімальна робоча температура | -55 °C |
| Напруга затвор-витік Vgs | 12 Вольт |
| Напруга пробою сток-витік Vds | 20 Вольт |
| Полярність | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th) | 0,6-2 Вольт |
| Постійний струм стоку (25°C) Id | 12 Ампер |
| Бренд | IR |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd | 2,5 Ватт |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on) | 0,009 Ом |
Способи оплати
💳
Ми приймаємо оплату зручними для вас способами: банківською карткою, безготівково на рахунок за реквізитами IBAN, а також готівкою. Ми завжди раді вашому замовленню та дбаємо, щоб оплата була простою і зручною.
У фізичному магазині доступні всі форми оплати, на точці видачі — лише банківська картка.
Для замовлень через сайт доступна безготівкова оплата на рахунок за реквізитами IBAN. Є також післяплата.
Додаткова інформація
Опис
це N-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу. Транзистор призначений для силової або сигнальної комутації та може використовуватися в таких вузлах: низьковольтні DC-DC перетворювачі, BMS, автомобільна електроніка, драйвери двигунів, ключі навантаження та системи керування живленням.
Технічні характеристики
- Тип: N-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу
- Корпус: SO-8
- Монтаж: SMD (поверхневий монтаж)
- Напруга стік-витік (VDS), за карткою: 20 В
- Постійний струм стоку (ID), за карткою: 12 А
- Потужність розсіювання (PD), за карткою: 2.5 Вт
- Опір відкритого каналу (RDS(on)), за карткою: 9 мОм
Функціонал
- Робота у DC-DC перетворювачах
- Керування силовим навантаженням у драйверних схемах
- Керування силовими лініями у BMS
- Комутація навантаження
- Керування лініями живлення
- Силова або сигнальна комутація
Розпіновка
Корпус SO-8, одиночний силовий MOSFET. Типове розташування силових контактів: 1–3. Source (S) 4. Gate (G) 5–8. Drain (D) Перед заміною або трасуванням PCB бажано звірити datasheet конкретної ревізії.
