N-ch; 200V; 0.8A; 1.0W; 0.8 Ohm
N-ch; 200V; 0.8A; 1.0W; 0.8 Ohm
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Час закриття транзистора td(off) | 19 Наносекунд |
| Час відкриття транзистора td(on) | 7,2 Наносекунд |
| Кількість каналів | 1 |
| Корпус | HEXDIP |
| Максимальна робоча температура | 150 °C |
| Мінімальна робоча температура | -55 °C |
| Напруга затвор-витік Vgs | 20 Вольт |
| Напруга пробою сток-витік Vds | 200 Вольт |
| Полярність | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th) | 2-4 Вольт |
| Постійний струм стоку (25°C) Id | 0,8 Ампер |
| Бренд | IR |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd | 1 Ватт |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on) | 0,8 Ом |
💳
Ми приймаємо оплату зручними для вас способами: банківською карткою, безготівково на рахунок за реквізитами IBAN, а також готівкою. Ми завжди раді вашому замовленню та дбаємо, щоб оплата була простою і зручною.
У фізичному магазині доступні всі форми оплати, на точці видачі — лише банківська картка.
Для замовлень через сайт доступна безготівкова оплата на рахунок за реквізитами IBAN. Є також післяплата.
Опис
це N-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу. Транзистор призначений для силової або сигнальної комутації та може використовуватися в таких вузлах: DC-DC перетворювачі, інвертори, імпульсні джерела живлення, драйвери та силові комутаційні вузли.
Технічні характеристики
Функціонал
Розпіновка
Корпус HD1/DIP4 / HVMDIP (4 виводи). У IRFD-серії фізично виведені Gate (G), Source (S) та два електрично об'єднані Drain (D) для зменшення опору й тепловідведення. Орієнтацію номерів потрібно звіряти за ключем корпусу в datasheet конкретної моделі.