Подвійний P-Ch, режим посилення, MOSFET
Подвійний P-Ch, режим посилення, MOSFET
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Час закриття транзистора td(off) | 22 Наносекунд |
| Час відкриття транзистора td(on) | 10 Наносекунд |
| Кількість каналів | 2 |
| Корпус | SO-8 |
| Максимальна робоча температура | 150 °C |
| Мінімальна робоча температура | -55 °C |
| Напруга затвор-витік Vgs | 25 Вольт |
| Напруга пробою сток-витік Vds | 30 Вольт |
| Полярність | P-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th) | 1-2 Вольт |
| Постійний струм стоку (25°C) Id | 4,9 Ампер |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd | 2,5 Ватт |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on) | 0,053 Ом |
💳
Ми приймаємо оплату зручними для вас способами: банківською карткою, безготівково на рахунок за реквізитами IBAN, а також готівкою. Ми завжди раді вашому замовленню та дбаємо, щоб оплата була простою і зручною.
У фізичному магазині доступні всі форми оплати, на точці видачі — лише банківська картка.
Для замовлень через сайт доступна безготівкова оплата на рахунок за реквізитами IBAN. Є також післяплата.
Опис
це подвійний P-канальний MOSFET, тобто два польові транзистори в одному компактному корпусі SO-8. Він призначений для комутації живлення, захисту від переполюсовки, керування акумуляторними лініями та інших низьковольтних силових вузлів.
Технічні характеристики
Функціонал
Розпіновка
Корпус SO-8, вид зверху, ключ/точка позначає вивід 1: 1. S1 — витік першого P-каналу. 2. G1 — затвор першого P-каналу. 3. S2 — витік другого P-каналу. 4. G2 — затвор другого P-каналу. 5. D2 — стік другого P-каналу. 6. D2 — стік другого P-каналу. 7. D1 — стік першого P-каналу. 8. D1 — стік першого P-каналу.