Каталог
Новинки
Поновлення
Дешевше
АкціїТранзистор польовий IRF640N
N; 200V; 18A; 150W; 0.15 Ohm
на складі 29 шт.
в магазині 27 шт.
код: A118071
IR
TO-220
IR
TO-220
Транзистор польовий IRF640N
N; 200V; 18A; 150W; 0.15 Ohm
27 грн
код:
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Час закриття транзистора td(off) | 23 Наносекунд |
| Час відкриття транзистора td(on) | 10 Наносекунд |
| Кількість каналів | 1 |
| Корпус | TO-220 |
| Максимальна робоча температура | 175 °C |
| Мінімальна робоча температура | -55 °C |
| Напруга затвор-витік Vgs | 20 Вольт |
| Напруга пробою сток-витік Vds | 200 Вольт |
| Полярність | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th) | 2-4 Вольт |
| Постійний струм стоку (25°C) Id | 18 Ампер |
| Бренд | IR |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd | 150 Ватт |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on) | 0,15 Ом |
Способи оплати
💳
Ми приймаємо оплату зручними для вас способами: банківською карткою, безготівково на рахунок за реквізитами IBAN, а також готівкою. Ми завжди раді вашому замовленню та дбаємо, щоб оплата була простою і зручною.
У фізичному магазині доступні всі форми оплати, на точці видачі — лише банківська картка.
Для замовлень через сайт доступна безготівкова оплата на рахунок за реквізитами IBAN. Є також післяплата.
Додаткова інформація
Опис
IRF640N — потужний N-канальний MOSFET-транзистор, призначений для високошвидкісної комутації в схемах керування живленням, інверторах та електроприводах.
Розпіновка при розташуванні транзистора стороною з маркуванням до себе, виводами вниз, зліва направо: 1 — Gate (затвор), керуючий вивід; 2 — Drain (стік), підключення до навантаження, також електрично з'єднаний із металевою підкладкою корпусу; 3 — Source (витік), підключення до мінуса живлення або землі.
Технічні характеристики
- Тип: N-канальний MOSFET
- Максимальна напруга стік-витік (VDSS): 200 В
- Максимальний струм стоку (ID): 18 А при температурі корпусу 25 °C
- Опір відкритого каналу (RDS(on)): 0,15 Ом при VGS = 10 В
- Максимальна напруга затвор-витік (VGS): ±20 В
- Порогова напруга затвора (VGS(th)): 2–4 В
- Максимальна потужність розсіювання (PD): 150 Вт
- Максимальна температура кристала: 175 °C
- Корпус: TO-220AB
Функціонал
- Комутація силових навантажень
- Високошвидкісне перемикання електричних кіл
- Робота в інверторних схемах
- Керування електроприводами
