Каталог
Новинки
Поновлення
Дешевше
АкціїТранзистор польовий IRF640NS
N; 200V; 18A; 150W; 0.15 Ohm
на складі 77 шт.
в магазині 17 шт.
код: A118070
Minos
TO-263
Minos
TO-263
Транзистор польовий IRF640NS
N; 200V; 18A; 150W; 0.15 Ohm
33 грн
код:
Швидка доставка
Відправка замовлень зроблених до 12:00 в той же день. Ми цінуємо ваш час.
Власний склад
Більш ніж 20000 назв товарів на власному складі, гарантує наявність та швидкість відправки вашого замовлення.
Способи оплати
💳
Ми приймаємо оплату зручними для вас способами: банківською карткою, безготівково на рахунок за реквізитами IBAN, а також готівкою. Ми завжди раді вашому замовленню та дбаємо, щоб оплата була простою і зручною.
У фізичному магазині доступні всі форми оплати, на точці видачі — лише банківська картка.
Для замовлень через сайт доступна безготівкова оплата на рахунок за реквізитами IBAN. Є також післяплата.
Додаткова інформація
Опис
IRF640NS — потужний N-канальний MOSFET-транзистор технології HEXFET у корпусі D2Pak (TO-263), призначений для поверхневого монтажу та комутації силових навантажень. Має низький опір відкритого каналу та металеву тепловідвідну площадку.
Розпіновка при розташуванні транзистора стороною з маркуванням до себе: 1 — Gate (затвор), керуючий вивід; 2 — Drain (стік), також електрично з'єднаний із широкою металевою тепловідвідною площадкою корпусу; 3 — Source (витік).
Технічні характеристики
- Тип: N-канальний MOSFET
- Максимальна напруга стік-витік (VDSS): 200 В
- Максимальний струм стоку (ID): 18 А при температурі корпусу 25 °C
- Опір відкритого каналу (RDS(on)): 0,15 Ом при VGS = 10 В
- Максимальна напруга затвор-витік (VGS): ±20 В
- Порогова напруга затвора (VGS(th)): 2–4 В
- Заряд затвора (Qg): близько 64–83 нКл
- Максимальна потужність розсіювання (PD): 150 Вт при відповідному тепловідведенні
- Корпус: D2Pak (TO-263), SMD
Функціонал
- Комутація силових навантажень
- Імпульсне перемикання електричних кіл
- Робота у силових схемах живлення
