Каталог
Новинки
Поновлення
Дешевше
АкціїТранзистор польовий IRF7303
N; 30V; 4.9 A; 2W; 0.05 Ohm здвоєний
на складі 35 шт.
в магазині 31 шт.
код: A118063
IR
SO-8
IR
SO-8
Транзистор польовий IRF7303
N; 30V; 4.9 A; 2W; 0.05 Ohm здвоєний
28.5 грн
код:
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Час закриття транзистора td(off) | 22 Наносекунд |
| Час відкриття транзистора td(on) | 6,8 Наносекунд |
| Кількість каналів | 2 |
| Корпус | SO-8 |
| Максимальна робоча температура | 150 °C |
| Мінімальна робоча температура | -55 °C |
| Напруга затвор-витік Vgs | 20 Вольт |
| Напруга пробою сток-витік Vds | 30 Вольт |
| Полярність | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th) | 1 Вольт |
| Постійний струм стоку (25°C) Id | 4,9 Ампер |
| Бренд | IR |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd | 2 Ватт |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on) | 0,05 Ом |
Способи оплати
💳
Ми приймаємо оплату зручними для вас способами: банківською карткою, безготівково на рахунок за реквізитами IBAN, а також готівкою. Ми завжди раді вашому замовленню та дбаємо, щоб оплата була простою і зручною.
У фізичному магазині доступні всі форми оплати, на точці видачі — лише банківська картка.
Для замовлень через сайт доступна безготівкова оплата на рахунок за реквізитами IBAN. Є також післяплата.
Додаткова інформація
Опис
IRF7303 — здвоєний N-канальний MOSFET-транзистор у компактному SMD-корпусі SO-8, що містить два незалежні транзистори та призначений для комутації навантажень в електронних схемах.
Розпіновка корпусу SO-8: вивід 1 — Source 1 (витік першого транзистора); 2 — Gate 1 (затвор першого транзистора); 3 — Source 2 (витік другого транзистора); 4 — Gate 2 (затвор другого транзистора); 5, 6 — Drain 2 (стік другого транзистора); 7, 8 — Drain 1 (стік першого транзистора).
Технічні характеристики
- Тип: здвоєний N-канальний MOSFET
- Кількість транзисторів у корпусі: 2
- Максимальна напруга стік-витік (VDSS): 30 В
- Максимальний постійний струм стоку (ID): 4,9 А при температурі 25 °C; 3,9 А при 70 °C
- Максимальний імпульсний струм стоку (IDM): 20 А
- Опір відкритого каналу (RDS(on)): 0,05 Ом при VGS = 10 В
- Максимальна потужність розсіювання (PD): 2 Вт
- Діапазон робочих температур: -55...+150 °C
- Корпус: SO-8, SMD
Функціонал
- Незалежна комутація двох електричних навантажень
- Імпульсне перемикання електричних кіл
- Використання двох MOSFET-транзисторів в одному корпусі
