N; 900V; 6A; 56W; 2.3 Ohm
N; 900V; 6A; 56W; 2.3 Ohm
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Час закриття транзистора td(off) | 55 Наносекунд |
| Час відкриття транзистора td(on) | 35 Наносекунд |
| Кількість каналів | 1 |
| Корпус | TO-220F |
| Максимальна робоча температура | 150 °C |
| Мінімальна робоча температура | -55 °C |
| Напруга затвор-витік Vgs | 30 Вольт |
| Напруга пробою сток-витік Vds | 900 Вольт |
| Полярність | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th) | 3-5 Вольт |
| Постійний струм стоку (25°C) Id | 6 Ампер |
| Бренд | ONS |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd | 56 Ватт |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on) | 2,3 Ом |
💳
Ми приймаємо оплату зручними для вас способами: банківською карткою, безготівково на рахунок за реквізитами IBAN, а також готівкою. Ми завжди раді вашому замовленню та дбаємо, щоб оплата була простою і зручною.
У фізичному магазині доступні всі форми оплати, на точці видачі — лише банківська картка.
Для замовлень через сайт доступна безготівкова оплата на рахунок за реквізитами IBAN. Є також післяплата.
Опис
FQPF6N90C — потужний високовольтний N-канальний MOSFET-транзистор, виготовлений за технологією QFET та призначений для комутації високовольтних кіл. Виконаний у повністю ізольованому пластиковому корпусі TO-220F, що дозволяє встановлювати його на радіатор без додаткової ізоляційної прокладки.
Розпіновка при розташуванні транзистора стороною з маркуванням до себе, виводами вниз, зліва направо: 1 — G (Gate), затвор, керуючий вивід; 2 — D (Drain), стік; 3 — S (Source), витік.
Технічні характеристики
Функціонал