Каталог
Новинки
Поновлення
Дешевше
АкціїТранзистор польовий IRF7105
N-ch P-ch; 2W; N: 25V; 3.5A; 0.1 Ohm; P: 25V; 2.3A; 0.25 Ohm
на складі 24 шт.
в магазині 11 шт.
код: A118050
IR
SO-8
IR
SO-8
Транзистор польовий IRF7105
N-ch P-ch; 2W; N: 25V; 3.5A; 0.1 Ohm; P: 25V; 2.3A; 0.25 Ohm
26 грн
код:
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Час закриття транзистора td(off) | N45 P45 Наносекунд |
| Час відкриття транзистора td(on) | N7 P12 Наносекунд |
| Кількість каналів | 2 |
| Корпус | SO-8 |
| Максимальна робоча температура | 150 °C |
| Мінімальна робоча температура | -55 °C |
| Напруга затвор-витік Vgs | N20 P20 Вольт |
| Напруга пробою сток-витік Vds | N25 P25 Вольт |
| Полярність | N та P-канал |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th) | N1-3 P1-3 Вольт |
| Постійний струм стоку (25°C) Id | N3,5 P2,3 Ампер |
| Бренд | IR |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd | 2 Ватт |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on) | N0,1 P0,25 Ом |
Способи оплати
💳
Ми приймаємо оплату зручними для вас способами: банківською карткою, безготівково на рахунок за реквізитами IBAN, а також готівкою. Ми завжди раді вашому замовленню та дбаємо, щоб оплата була простою і зручною.
У фізичному магазині доступні всі форми оплати, на точці видачі — лише банківська картка.
Для замовлень через сайт доступна безготівкова оплата на рахунок за реквізитами IBAN. Є також післяплата.
Додаткова інформація
Опис
IRF7105 — комплементарна збірка з N-канального та P-канального MOSFET-транзисторів в одному корпусі SO-8 для поверхневого монтажу. Призначена для компактних схем керування навантаженням, Н-мостів та перетворювачів напруги.
Технічні характеристики
- Тип: комплементарна MOSFET-збірка, N-канал + P-канал
- Максимальна напруга стік-витік (VDS): 25 В для N-каналу, -25 В для P-каналу
- Максимальний постійний струм стоку (ID): 3,5 А для N-каналу, -2,3 А для P-каналу при 25°C
- Максимальний імпульсний струм стоку (IDM): 14 А для N-каналу, -10 А для P-каналу
- Опір відкритого каналу (RDS(on)) при VGS = 10 В: 83 мОм для N-каналу, 160 мОм для P-каналу
- Опір відкритого каналу (RDS(on)) при VGS = 4,5 В: 140 мОм для N-каналу, 300 мОм для P-каналу
- Максимальна напруга затвор-витік (VGS): ±20 В
- Загальний заряд затвора (Qg): 9,4 нКл для N-каналу, 11 нКл для P-каналу
- Максимальна потужність розсіювання: 2 Вт
- Діапазон робочих температур: -55...+150°C
- Корпус: SO-8 (SOIC-8)
- Кількість виводів: 8
- Тип монтажу: поверхневий (SMD)
Функціонал
- Комутація навантажень за допомогою N-канального та P-канального MOSFET
- Робота у схемах Н-мостів
- Робота в перетворювачах напруги
- Керування навантаженням у компактних електронних схемах
Розпіновка
- 1 — Source 1: витік P-каналу
- 2 — Gate 1: затвор P-каналу
- 3 — Source 2: витік N-каналу
- 4 — Gate 2: затвор N-каналу
- 5 — Drain 2: стік N-каналу
- 6 — Drain 2: стік N-каналу
- 7 — Drain 1: стік P-каналу
- 8 — Drain 1: стік P-каналу
Нумерація виводів ведеться від ключа або крапки на корпусі проти годинникової стрілки.
