Транзистор польовий IRLML6401TR

P-Ch; 12V; 4.3A; 1.3W; 0.05 Ohm

Транзистор польовий IRLML6401TR
на складі 880 шт.
в магазині 90 шт.
код: A118037
IR/China
SOT-23

Транзистор польовий IRLML6401TR

P-Ch; 12V; 4.3A; 1.3W; 0.05 Ohm


2.4 грн
код:

ПараметрЗначення
Час закриття транзистора td(off)250 Наносекунд
Час відкриття транзистора td(on)11 Наносекунд
Кількість каналів1
КорпусSOT-23
Максимальна робоча температура150 °C
Мінімальна робоча температура-55 °C
Напруга затвор-витік Vgs8 Вольт
Напруга пробою сток-витік Vds12 Вольт
ПолярністьP-Channel
Порогова напруга затвор-витік Vgs(th)0,4-0,95 Вольт
Постійний струм стоку (25°C) Id4,3 Ампер
Розсіювана потужність (25°C) Pd1,3 Ватт
Опір сток-витік (25°C) Rds(on)0,05 Ом
Способи оплати

💳 Ми приймаємо оплату зручними для вас способами: банківською карткою, безготівково на рахунок за реквізитами IBAN, а також готівкою. Ми завжди раді вашому замовленню та дбаємо, щоб оплата була простою і зручною.

У фізичному магазині доступні всі форми оплати, на точці видачі — лише банківська картка.

Для замовлень через сайт доступна безготівкова оплата на рахунок за реквізитами IBAN. Є також післяплата.


Додаткова інформація

Опис

IRLML6401TR — P-канальний MOSFET-транзистор з керуванням логічним рівнем у компактному корпусі SOT-23, призначений для комутації живлення та навантажень у портативній електроніці. Має низький опір відкритого каналу при низькій напрузі керування затвором.

Технічні характеристики

  • Тип транзистора: MOSFET
  • Тип каналу: P-канальний
  • Тип керування затвором: логічний рівень (Logic-Level)
  • Максимальна напруга стік-витік (VDS): -12 В
  • Максимальний безперервний струм стоку (ID): -4,3 А при температурі навколишнього середовища 25 °C
  • Опір відкритого каналу (RDS(on)): до 0,050 Ом (50 мОм) при VGS = -4,5 В
  • Опір відкритого каналу (RDS(on)): до 0,085 Ом (85 мОм) при VGS = -2,5 В
  • Порогова напруга затвору (VGS(th)): від -0,4 до -0,9 В
  • Максимальна розсіювана потужність: 1,3 Вт
  • Корпус: SOT-23 (Micro3)
  • Тип монтажу: SMD

Функціонал

  • Комутація живлення
  • Керування навантаженням у портативній електроніці
  • Робота у зарядних пристроях для Li-Ion акумуляторів
  • Керування малопотужними електродвигунами та світлодіодами