Каталог
Новинки
Поновлення
Дешевше
АкціїТранзистор польовий IRF9510S
(P-Ch) 100V; 4A; 43W; 1.2 Ohm
на складі 28 шт.
в магазині 32 шт.
код: A118027
IR
D2PAK
IR
D2PAK
Транзистор польовий IRF9510S
(P-Ch) 100V; 4A; 43W; 1.2 Ohm
17 грн
код:
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Час закриття транзистора td(off) | 15 Наносекунд |
| Час відкриття транзистора td(on) | 10 Наносекунд |
| Кількість каналів | 1 |
| Корпус | D2-PAK |
| Максимальна робоча температура | 175 °C |
| Мінімальна робоча температура | -55 °C |
| Напруга затвор-витік Vgs | 20 Вольт |
| Напруга пробою сток-витік Vds | 100 Вольт |
| Полярність | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th) | 2-4 Вольт |
| Постійний струм стоку (25°C) Id | 4 Ампер |
| Бренд | IR |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd | 43 Ватт |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on) | 1,2 Ом |
Способи оплати
💳
Ми приймаємо оплату зручними для вас способами: банківською карткою, безготівково на рахунок за реквізитами IBAN, а також готівкою. Ми завжди раді вашому замовленню та дбаємо, щоб оплата була простою і зручною.
У фізичному магазині доступні всі форми оплати, на точці видачі — лише банківська картка.
Для замовлень через сайт доступна безготівкова оплата на рахунок за реквізитами IBAN. Є також післяплата.
Додаткова інформація
Опис
IRF9510S — потужний P-канальний MOSFET-транзистор у корпусі D²PAK (TO-263) для поверхневого монтажу, призначений для комутації навантажень у силових та імпульсних електронних схемах. Підтримує швидке перемикання та роботу з індуктивними навантаженнями.
Технічні характеристики
- Тип транзистора: MOSFET, HEXFET
- Тип каналу: P-канальний
- Максимальна напруга стік-витік (VDS): -100 В
- Максимальний постійний струм стоку (ID): -4 А при температурі корпусу 25 °C
- Максимальний постійний струм стоку (ID): -2,8 А при температурі корпусу 100 °C
- Максимальний імпульсний струм стоку (IDM): -16 А
- Опір відкритого каналу (RDS(on)): 1,2 Ом при VGS = -10 В
- Максимальна напруга затвор-витік (VGS): ±20 В
- Порогова напруга затвору (VGS(th)): від -2 до -4 В
- Максимальна потужність розсіювання: 43 Вт
- Енергія одиночного лавинного імпульсу (EAS): 200 мДж
- Діапазон робочих температур: від -55 до +175 °C
- Корпус: D²PAK (TO-263)
- Тип монтажу: SMD
- Розпіновка: пін 1 — затвор (Gate, G); пін 2 — стік (Drain, D); пін 3 — витік (Source, S)
- Металева основа корпусу з'єднана зі стоком (Drain)
Функціонал
- Комутація навантаження у верхньому плечі (High-Side Switch)
- Робота в імпульсних стабілізаторах і перетворювачах напруги
- Керування електродвигунами та реле
- Комутація індуктивних навантажень
