Каталог
Новинки
Поновлення
Дешевше
АкціїТранзистор польовий IRF7309
(N P-Ch) N-30V; 4A; 0,05Ohm; P-30V; 3A; 0,1Ohm; 1,4W
на складі 19 шт.
в магазині 15 шт.
код: A118009
IR
SO-8
IR
SO-8
Транзистор польовий IRF7309
(N P-Ch) N-30V; 4A; 0,05Ohm; P-30V; 3A; 0,1Ohm; 1,4W
39 грн
код:
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Час закриття транзистора td(off) | N22 P25 Наносекунд |
| Час відкриття транзистора td(on) | N7 P11 Наносекунд |
| Кількість каналів | 2 |
| Корпус | SO-8 |
| Максимальна робоча температура | 150 °C |
| Мінімальна робоча температура | -55 °C |
| Напруга затвор-витік Vgs | N20 P20 Вольт |
| Напруга пробою сток-витік Vds | N30 P30 Вольт |
| Полярність | N та P-канал |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th) | N1 P1 Вольт |
| Постійний струм стоку (25°C) Id | N4,7 P3,5 Ампер |
| Бренд | IR |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd | 1,4 Ватт |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on) | N0,05 P0,1 Ом |
Способи оплати
💳
Ми приймаємо оплату зручними для вас способами: банківською карткою, безготівково на рахунок за реквізитами IBAN, а також готівкою. Ми завжди раді вашому замовленню та дбаємо, щоб оплата була простою і зручною.
У фізичному магазині доступні всі форми оплати, на точці видачі — лише банківська картка.
Для замовлень через сайт доступна безготівкова оплата на рахунок за реквізитами IBAN. Є також післяплата.
Додаткова інформація
Опис
IRF7309 — комплементарний подвійний MOSFET-транзистор у корпусі SO-8 для поверхневого монтажу, що містить один N-канальний та один P-канальний транзистор. Призначений для комутації живлення, мостових схем та керування навантаженнями.
Технічні характеристики
- Тип: подвійний комплементарний MOSFET
- Канали: 1×N-канальний, 1×P-канальний
- Максимальна напруга стік-витік N-каналу (VDS): 30 В
- Максимальний струм стоку N-каналу (ID): 4 А при 25 °C
- Опір відкритого N-каналу (RDS(on)): 0,05 Ом при VGS = 10 В
- Максимальна напруга стік-витік P-каналу (VDS): -30 В
- Максимальний струм стоку P-каналу (ID): -3 А при 25 °C
- Опір відкритого P-каналу (RDS(on)): 0,10 Ом при VGS = -10 В
- Максимальна розсіювана потужність: 2 Вт
- Корпус: SO-8, SMD
- Розпіновка: пін 1 — витік P-каналу (Source 2); пін 2 — затвор P-каналу (Gate 2); пін 3 — витік N-каналу (Source 1); пін 4 — затвор N-каналу (Gate 1); піни 5, 6 — стік N-каналу (Drain 1); піни 7, 8 — стік P-каналу (Drain 2)
Функціонал
- Комплементарна комутація навантажень за допомогою N- та P-канального MOSFET
- Керування двигунами
- Робота у мостових схемах та H-мостах
- Комутація живлення
