Каталог
Новинки
Поступления
Дешевле
АкцияТранзистор IGBT K75T60 (75N60)
600V; 75A; Usat=1.9V, Field Stop IGBT
Транзистор IGBT K75T60 (75N60)
600V; 75A; Usat=1.9V, Field Stop IGBT
код:
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Максимальна робоча температура | 175 °C |
| Максимальна розсіювана потужність (25°C) Pd | 428 Ватт |
| Напруга затвор-емітер Vge | 20 Вольт |
| Напруга колектор-емітер Vces | 600 Вольт |
| Номінальний час відновлення діода (25°C) trr | 121 Наносекунд |
| Номінальний струм діода (100°C) If | 75 Ампер |
| Номінальний струм колектора (100°C) Ic | 75 Ампер |
| Бренд | Infineon |
| Структура | Trenchstop IGBT+діод |
Дополнительная информация
