Каталог
Новинки
Поступления
Дешевле
АкцияТранзистор полевой 2N7002K (702K)
(N-Ch) 60V 300mA 300mW
на складе 1005 шт.
в магазине 87 шт.
код: A118040
MDD
SOT-23
MDD
SOT-23
Транзистор полевой 2N7002K (702K)
(N-Ch) 60V 300mA 300mW
2.1 грн
код:
Быстрая доставка
Отправка заказов сделаных до 12:00 в тот же день. Мы ценим ваше время.
Собственный склад
Более 20000 наименований товаров на собственном складе, гарантирует наличие и скорость отправки вашего заказа.
Способы оплаты
💳
Мы принимаем оплату удобными для вас способами: банковской картой, по безналичному расчету на счет по реквизитам IBAN, а также наличными. Мы всегда рады вашему заказу и стараемся, чтобы оплата была простой и удобной.
В физическом магазине доступны все формы оплаты, в точке выдачи — только банковская карта.
Для заказов через сайт доступна безналичная оплата на счет по реквизитам IBAN. Есть также наложенный платеж.
Дополнительная информация
Описание
2N7002K (маркировка 702K или 702) — маломощный N-канальный MOSFET-транзистор в корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа, предназначенный для коммутации небольших нагрузок и сигнальных линий. Выполнен по технологии TrenchDMOS и имеет встроенную ESD-защиту затвора до 2 кВ.
Технические характеристики
- Тип транзистора: MOSFET, TrenchDMOS
- Тип канала: N-канальный
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 60 В
- Максимальный постоянный ток стока (ID): 300 мА
- Максимальный импульсный ток стока (IDM): 800 мА
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)): около 2 Ом при VGS = 10 В
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)): около 3 Ом при VGS = 4,5 В
- Пороговое напряжение затвора (VGS(th)): 1–2,5 В
- Максимальная рассеиваемая мощность: 350 мВт
- ESD-защита затвора: до 2 кВ
- Корпус: SOT-23 (TO-236AB)
- Тип монтажа: SMD
- Распиновка: пин 1 — затвор (Gate, G); пин 2 — исток (Source, S); пин 3 — сток (Drain, D)
Функционал
- Коммутация маломощных нагрузок
- Преобразование логических уровней 3,3 В и 5 В
- Работа в качестве сигнального и цифрового ключа
- Управление реле, светодиодами и небольшими электродвигателями
- Управление затворами более мощных MOSFET-транзисторов
