Каталог
Новинки
Поступления
Дешевле
АкцияТранзистор полевой IRF7389
N P-Ch N-30V; 2,5W; 7,3A; 0,029Ohm; P-30V; 5,3A; 0,058Ohm;
на складе 75 шт.
в магазине 17 шт.
код: A118029
IR
SO-8
IR
SO-8
Транзистор полевой IRF7389
N P-Ch N-30V; 2,5W; 7,3A; 0,029Ohm; P-30V; 5,3A; 0,058Ohm;
26 грн
код:
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Час закриття транзистора td(off) | N26 P34 Наносекунд |
| Час відкриття транзистора td(on) | N8,1 P13 Наносекунд |
| Кількість каналів | 2 |
| Корпус | SO-8 |
| Максимальна робоча температура | 150 °C |
| Мінімальна робоча температура | -55 °C |
| Напруга затвор-витік Vgs | N20 P20 Вольт |
| Напруга пробою сток-витік Vds | N30 P30 Вольт |
| Полярність | N та P-канал |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th) | N1 P1 Вольт |
| Постійний струм стоку (25°C) Id | N7,3 P5,3 Ампер |
| Бренд | IR |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd | 2,5 Ватт |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on) | N0,029 P0,058 Ом |
Способы оплаты
💳
Мы принимаем оплату удобными для вас способами: банковской картой, по безналичному расчету на счет по реквизитам IBAN, а также наличными. Мы всегда рады вашему заказу и стараемся, чтобы оплата была простой и удобной.
В физическом магазине доступны все формы оплаты, в точке выдачи — только банковская карта.
Для заказов через сайт доступна безналичная оплата на счет по реквизитам IBAN. Есть также наложенный платеж.
Дополнительная информация
Описание
IRF7389 — сдвоенный MOSFET-транзистор в корпусе SO-8 для поверхностного монтажа, содержащий один N-канальный и один P-канальный транзистор. Предназначен для коммутации нагрузок, построения мостовых схем и управления электродвигателями.
Технические характеристики
- Тип транзистора: сдвоенный MOSFET
- Каналы: 1×N-канальный, 1×P-канальный
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS), N-канал: 30 В
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS), P-канал: -30 В
- Максимальный ток стока (ID), N-канал: 7,3 А при 25 °C
- Максимальный ток стока (ID), P-канал: -5,3 А при 25 °C
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)), N-канал: 0,029 Ом при VGS = 10 В
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)), P-канал: 0,058 Ом при VGS = -10 В
- Пороговое напряжение затвора (VGS(th)), N-канал: 1–3 В
- Пороговое напряжение затвора (VGS(th)), P-канал: от -1 до -3 В
- Максимальная рассеиваемая мощность: 2 Вт при температуре окружающей среды 25 °C
- Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C
- Корпус: SO-8
- Тип монтажа: SMD
- Распиновка: пин 1 — исток P-канала (S2); пин 2 — затвор P-канала (G2); пин 3 — исток N-канала (S1); пин 4 — затвор N-канала (G1); пины 5, 6 — сток N-канала (D1); пины 7, 8 — сток P-канала (D2)
Функционал
- Коммутация нагрузок
- Построение мостовых схем
- Управление электродвигателями
- Работа в качестве переключателя в MOSFET-драйверах
- Управление от цифровых сигналов 3,3 В или 5 В
