Каталог
Новинки
Поступления
Дешевле
АкцияТранзистор полевой IRF9510S
(P-Ch) 100V; 4A; 43W; 1.2 Ohm
на складе 28 шт.
в магазине 32 шт.
код: A118027
IR
D2PAK
IR
D2PAK
Транзистор полевой IRF9510S
(P-Ch) 100V; 4A; 43W; 1.2 Ohm
17 грн
код:
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Час закриття транзистора td(off) | 15 Наносекунд |
| Час відкриття транзистора td(on) | 10 Наносекунд |
| Кількість каналів | 1 |
| Корпус | D2-PAK |
| Максимальна робоча температура | 175 °C |
| Мінімальна робоча температура | -55 °C |
| Напруга затвор-витік Vgs | 20 Вольт |
| Напруга пробою сток-витік Vds | 100 Вольт |
| Полярність | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th) | 2-4 Вольт |
| Постійний струм стоку (25°C) Id | 4 Ампер |
| Бренд | IR |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd | 43 Ватт |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on) | 1,2 Ом |
Способы оплаты
💳
Мы принимаем оплату удобными для вас способами: банковской картой, по безналичному расчету на счет по реквизитам IBAN, а также наличными. Мы всегда рады вашему заказу и стараемся, чтобы оплата была простой и удобной.
В физическом магазине доступны все формы оплаты, в точке выдачи — только банковская карта.
Для заказов через сайт доступна безналичная оплата на счет по реквизитам IBAN. Есть также наложенный платеж.
Дополнительная информация
Описание
IRF9510S — мощный P-канальный MOSFET-транзистор в корпусе D²PAK (TO-263) для поверхностного монтажа, предназначенный для коммутации нагрузок в силовых и импульсных электронных схемах. Поддерживает быстрое переключение и работу с индуктивными нагрузками.
Технические характеристики
- Тип транзистора: MOSFET, HEXFET
- Тип канала: P-канальный
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): -100 В
- Максимальный постоянный ток стока (ID): -4 А при температуре корпуса 25 °C
- Максимальный постоянный ток стока (ID): -2,8 А при температуре корпуса 100 °C
- Максимальный импульсный ток стока (IDM): -16 А
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 1,2 Ом при VGS = -10 В
- Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±20 В
- Пороговое напряжение затвора (VGS(th)): от -2 до -4 В
- Максимальная мощность рассеивания: 43 Вт
- Энергия одиночного лавинного импульса (EAS): 200 мДж
- Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C
- Корпус: D²PAK (TO-263)
- Тип монтажа: SMD
- Распиновка: пин 1 — затвор (Gate, G); пин 2 — сток (Drain, D); пин 3 — исток (Source, S)
- Металлическое основание корпуса соединено со стоком (Drain)
Функционал
- Коммутация нагрузки в верхнем плече (High-Side Switch)
- Работа в импульсных стабилизаторах и преобразователях напряжения
- Управление электродвигателями и реле
- Коммутация индуктивных нагрузок
