Каталог
Новинки
Поступления
Дешевле
АкцияТранзистор полевой IRF7309
(N P-Ch) N-30V; 4A; 0,05Ohm; P-30V; 3A; 0,1Ohm; 1,4W
на складе 19 шт.
в магазине 15 шт.
код: A118009
IR
SO-8
IR
SO-8
Транзистор полевой IRF7309
(N P-Ch) N-30V; 4A; 0,05Ohm; P-30V; 3A; 0,1Ohm; 1,4W
39 грн
код:
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Час закриття транзистора td(off) | N22 P25 Наносекунд |
| Час відкриття транзистора td(on) | N7 P11 Наносекунд |
| Кількість каналів | 2 |
| Корпус | SO-8 |
| Максимальна робоча температура | 150 °C |
| Мінімальна робоча температура | -55 °C |
| Напруга затвор-витік Vgs | N20 P20 Вольт |
| Напруга пробою сток-витік Vds | N30 P30 Вольт |
| Полярність | N та P-канал |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th) | N1 P1 Вольт |
| Постійний струм стоку (25°C) Id | N4,7 P3,5 Ампер |
| Бренд | IR |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd | 1,4 Ватт |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on) | N0,05 P0,1 Ом |
Способы оплаты
💳
Мы принимаем оплату удобными для вас способами: банковской картой, по безналичному расчету на счет по реквизитам IBAN, а также наличными. Мы всегда рады вашему заказу и стараемся, чтобы оплата была простой и удобной.
В физическом магазине доступны все формы оплаты, в точке выдачи — только банковская карта.
Для заказов через сайт доступна безналичная оплата на счет по реквизитам IBAN. Есть также наложенный платеж.
Дополнительная информация
Описание
IRF7309 — комплементарный двойной MOSFET-транзистор в корпусе SO-8 для поверхностного монтажа, содержащий один N-канальный и один P-канальный транзистор. Предназначен для коммутации питания, мостовых схем и управления нагрузками.
Технические характеристики
- Тип: двойной комплементарный MOSFET
- Каналы: 1×N-канальный, 1×P-канальный
- Максимальное напряжение сток-исток N-канала (VDS): 30 В
- Максимальный ток стока N-канала (ID): 4 А при 25 °C
- Сопротивление открытого N-канала (RDS(on)): 0,05 Ом при VGS = 10 В
- Максимальное напряжение сток-исток P-канала (VDS): -30 В
- Максимальный ток стока P-канала (ID): -3 А при 25 °C
- Сопротивление открытого P-канала (RDS(on)): 0,10 Ом при VGS = -10 В
- Максимальная рассеиваемая мощность: 2 Вт
- Корпус: SO-8, SMD
- Распиновка: пин 1 — исток P-канала (Source 2); пин 2 — затвор P-канала (Gate 2); пин 3 — исток N-канала (Source 1); пин 4 — затвор N-канала (Gate 1); пины 5, 6 — сток N-канала (Drain 1); пины 7, 8 — сток P-канала (Drain 2)
Функционал
- Комплементарная коммутация нагрузок с помощью N- и P-канального MOSFET
- Управление двигателями
- Работа в мостовых схемах и H-мостах
- Коммутация питания
